MOSFET vs BJT
Tranzistor je elektronické polovodičové zariadenie, ktoré dáva do značnej miery elektrický výstupný signál pre malé zmeny v malých vstupných signáloch. Vďaka tejto kvalite je možné zariadenie použiť buď ako zosilňovač, alebo ako prepínač. Tranzistor bol uvedený na trh v 50. rokoch 20. storočia a je možné ho považovať za jeden z najdôležitejších vynálezov 20. storočia vzhľadom na prínos pre IT. Jedná sa o rýchlo sa rozvíjajúce zariadenie a bolo predstavených mnoho typov tranzistorov. Bipolárny križovatkový tranzistor (BJT) je prvý typ a tranzistor s efektom poľa oxidu kovu (MOSFET) je ďalším typom tranzistora, ktorý bol predstavený neskôr.
Bipolárny tranzistor (BJT)
BJT sa skladá z dvoch PN prechodov (križovatka vytvorená spojením polovodiča typu ap a typu n). Tieto dva spojenia sú tvorené spojením troch polovodičových súčiastok v poradí PNP alebo NPN. Preto sú k dispozícii dva typy BJT známe ako PNP a NPN.
K týmto trom polovodičovým častiam sú pripojené tri elektródy a stredný vodič sa nazýva „báza“. Ďalšie dva križovatky sú „žiarič“a „zberač“.
V BJT je prúd veľkého kolektora (Ic) riadený prúdom malého základu emitora (IB) a táto vlastnosť sa využíva na návrh zosilňovačov alebo prepínačov. Preto sa dá považovať za zariadenie poháňané prúdom. BJT sa väčšinou používa v obvodoch zosilňovačov.
Tranzistor s efektom poľa polovodičového oxidu kovu (MOSFET)
MOSFET je typ tranzistora s efektom poľa (FET), ktorý je vyrobený z troch terminálov známych ako „Gate“, „Source“a „Drain“. Tu je odtokový prúd riadený hradlovým napätím. Preto sú MOSFETy zariadeniami riadenými napätím.
MOSFETy sú dostupné v štyroch rôznych typoch, ako je n kanál alebo p kanál, buď v režime vyčerpania alebo vylepšenia. Odtok a zdroj sú vyrobené z polovodiča typu n pre M-kanály M kanálov s n kanálom a podobne pre zariadenia s kanálom p. Brána je vyrobená z kovu a oddelená od zdroja a odtoku pomocou oxidu kovu. Táto izolácia spôsobuje nízku spotrebu energie a je výhodou v systéme MOSFET. Preto sa MOSFET používa v digitálnej logike CMOS, kde sa ako stavebné prvky na minimalizáciu spotreby energie používajú M- a F-kanály p a n.
Aj keď bol koncept MOSFET navrhnutý veľmi skoro (v roku 1925), bol prakticky implementovaný v roku 1959 v laboratóriách Bell.
BJT vs MOSFET
1. BJT je v podstate prúdom poháňané zariadenie, MOSFET sa považuje za napäťovo riadené zariadenie.
2. Terminály BJT sú známe ako žiarič, kolektor a základňa, zatiaľ čo MOSFET je vyrobený z brány, zdroja a odtoku.
3. Vo väčšine nových aplikácií sa používajú MOSFETy ako BJT.
4. MOSFET má v porovnaní s BJT zložitejšiu štruktúru
5. MOSFET je efektívny z hľadiska spotreby energie ako BJT, a preto sa používa v logike CMOS.
