Siete FDD LTE (FD-LTE) vs TDD LTE (TD-LTE)
FDD LTE a TDD LTE sú dva rôzne štandardy technológie LTE 4G. LTE je vysokorýchlostná bezdrôtová technológia od štandardu 3GPP. Rast 3G končí na HSPA + a mobilní operátori už začali nasadzovať 4G siete, aby poskytli mobilným používateľom oveľa väčšiu šírku pásma. Rýchlosť 4G nám poskytne virtuálnu LAN realitu mobilným telefónom tým, že ponúkne vysokorýchlostný prístup k internetu a umožní vám zažiť skutočné služby triple play, ako sú dáta, hlas a video z mobilnej siete.
Už 4G inteligentné telefóny vydávajú spoločnosti Motorola, LG, Samsung a HTC, väčšinou s operačným systémom Android. Funkcia Android Wi-Fi hotspot umožňuje používateľom používať mobilný telefón 4G ako náhradu domácich širokopásmových služieb. Veľký americký dopravca Verizon a Telia Sonera zo Švédska už začali ponúkať 4G služby založené na technológii LTE.
LTE je definované tak, aby podporovalo párové spektrum pre duplex s frekvenčným delením (FDD) a nespárované spektrum pre duplex s časovým delením (TDD). LTE FDD využíva párové spektrum, ktoré pochádza z migračnej cesty siete 3G, zatiaľ čo TDD LTE využíva nespárované spektrum, ktoré sa vyvinulo z TD-SCDMA.
(1) TD LTE nevyžaduje spárované spektrum, pretože vysielanie a príjem sa vyskytuje v rovnakom kanáli, zatiaľ čo vo FD LTE vyžaduje spárované spektrum s rôznymi frekvenciami s ochranným pásmom.
(2) TD LTE je lacnejší ako FD LTE, pretože v TD LTE nie je potrebný diplexer na izoláciu prenosu a príjmu.
(3) V TD LTE je možné dynamicky meniť pomer kapacity uplinku a downlinku podľa potreby, zatiaľ čo vo FD je kapacita LTE určená pridelením frekvencie regulačnými orgánmi. Je preto ťažké uskutočniť dynamické zmeny.
(4) V TD LTE je potrebná dlhšia ochranná doba, aby sa zachovala separácia vzostupného a zostupného spojenia, čo ovplyvní kapacitu, zatiaľ čo vo FD LTE sa rovnaký koncept označuje ako ochranné pásmo na izoláciu vzostupného a zostupného spojenia, ktoré nebude mať vplyv na kapacitu.
(5) V TD LTE je interferencia medzi slotmi, ktorá sa nevzťahuje na FD LTE.
